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多晶硅棒热破碎装置

2023-10-07T18:10:35+00:00
  • 冲击式多晶硅破碎装置的研究与设计 百度学术

    多晶硅 (Polysilicon)作为半导体材料所使用的基础材料,在微电子技术和光伏发电技术中应用普遍,被称为"微电子大厦的基石"多晶硅破碎长久以来一直是采用人工使用镶嵌硬质合金或 2022年2月14日  本发明提出了一种电子级多晶硅棒热破碎方法,包括(1)采用传送单元将待加热的多晶硅棒传送至加热仓内,通过所述加热仓内的加热元件对所述多晶硅棒进行加 电子级多晶硅棒热破碎方法 百度学术2022年6月1日  为此,本发明的目的在于提出一种电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置。多晶硅棒通过传送单元自动完成进出加热仓,多晶硅棒在完成加热的过程 电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置与流程

  • 一种水爆破碎多晶硅料的方法 百度学术

    国省代号: CN 摘要: 本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉 2019年3月27日  本发明同时还提供了一种多晶硅棒破碎方法,该方法应用在多晶硅棒破碎装置中,多晶硅棒破碎装置包括壳体、盛料篮和冷却介质;壳体顶端开口;盛料篮用于放 一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法与流程2017年2月20日  所述破碎装备包括:采用热力学的方法使多晶硅棒升温的加热装置和采用骤冷介质使热态硅棒急剧降温的骤冷装置。该工艺及装备破碎任何方法制得的多晶硅棒时 多晶硅棒热力学破碎装备 国家科技成果基地(南宁)综合

  • 多晶硅棒破碎系统及破碎方法与流程 X技术网

    2022年4月13日  目前多晶硅破碎主要由人工或机械破碎,人工破碎存在许多弊端,劳动强度大,效率低,敲击破碎时产生的汗渍等交叉污染容易造成硅棒表面沾污,影响产品质量,同时因硅棒硬度较高,破碎锤反复敲击多 2022年2月14日  本发明提出了一种电子级多晶硅棒热破碎方法,包括(1)采用传送单元将待加热的多晶硅棒传送至加热仓内,通过所述加热仓内的加热元件对所述多晶硅棒进行 电子级多晶硅棒热破碎方法 CNA 专利顾如 2022年4月16日  一种方式是将多晶硅棒料置于多晶硅破碎台,使用气动破碎锤破碎多晶硅。 还有一种方式是使用一体式破碎机,通过自动运输、自动破碎、自动筛分系统将硅块进 电子级多晶硅棒热破碎方法与流程 X技术网

  • 电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置与流程

    2022年6月1日  56在本发明的第二个方面,本发明提出了一种采用以上实施例所述的电子级多晶硅热破碎加热装置对多晶硅棒 料进行加热的方法。根据本发明的实施例,所述方法包括: 57(1)打开仓门21,采用传送单元10将待加热的多晶硅棒料传送至加热仓20中 2021年8月27日  本发明涉及破碎装置技术领域,尤其涉及一种硅块破碎装置及使用方法、硅块破碎方法及应用方法。背景技术: 电子级多晶硅是集成电路产业的基础原材料,一般采用改良西门子法进行生产,在还原炉中利用化学气相沉积产出多晶硅棒,然后对其进行破碎、筛分及清洗,从而得到尺寸不一的多晶硅 一种硅块破碎装置及使用方法、硅块破碎方法及应用方法与流程2021年9月9日  多晶硅还原炉的结构及利用此还原炉进行还原的工作方法。 采用交叉分布的吊装电极,改善了炉内物料分布的均匀性,容易控制还原炉内各个位置的温度,降低电耗并保证产品质量。 多晶硅还原的方法,其 多晶硅 知乎

  • 多晶硅研究系列1:三大生产工艺的比较 1多晶硅的生产工艺

    2012年3月27日  1多晶硅的生产工艺:从西门子法到改良西门子法 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957年,这种多晶硅生产工艺开始应用2023年8月22日  多晶硅 二、制备工艺与技术 多晶硅的制备工艺多种多样,涵盖气相法、溶液法和凝固法等不同方法。这些方法各具特点,在不同领域应用广泛。气相法: 气相法是制备多晶硅的一种重要方法。 它基于热化学反应,将硅源气体(如氯化硅)在高温下分解,使硅沉积在基底上。多晶硅:制备、性质与应用的全面解析 知乎2022年5月9日  硅烷流化床法生产颗粒多晶硅的优点又在于: 1)硅烷热分解反应的副产物为氢气;2)硅烷的沉积温度比三氯氢硅低,可以把多晶硅的还原电耗从改良 西门子 法的 45kWh/kg 降低到约 4kWh/kg,从而大幅降低成本;3)沉积速率快、可实现单程百分百转化;4)可实现 成本领先,穿越周期,颗粒硅:十年磨一剑,硅料技术革命

  • 光伏多晶硅料为何需要破碎?如何破碎?中粉石英行业门户

    2023年5月27日  热淬碎法 热淬碎法是将硅原料棒置于加热炉中,根据热胀冷缩的原理改变晶体之间的结合力,先在600~700℃的高温环境下对其进行加热,然后立即将其取出并放入水中,通过快速浸泡在冷水中造成硅棒的主体上形成裂纹,然后再手动轻轻敲击它,以达到折断 2020年12月21日  多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括,三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化(有的采用氯氢化),精馏,还原,尾气回收,还有一些小的主项,制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。 主要反应包括:Si+HClSiHCl3+H2(三氯氢硅合成);SiCl4+H2SiHCl3+HCl(热氢化);SiHCl3+H2SiCl4 多晶硅生产工艺流程 哔哩哔哩2019年12月31日  本实用新型装置可有效提升破碎效率,降低人工成本;可避免多晶硅破碎过程中的二次污染问题,保证了多晶硅的质量纯度;多晶硅棒料可以在短时间内破碎完成,且破碎过程中不会产生粉尘;另外配置不同形状的组合式破碎锤或者设置不同的参数,能达到特 一种多晶硅自动破碎装置专利查询 企查查

  • 2022年协鑫科技研究报告:颗粒硅有望成为下一代主流硅料技术

    2023年11月21日  22、CCZ+颗粒硅或引领下一代多晶硅技术变革 拉晶方式从分批直拉法(CZ)演变为目前的 RCZ。传统单晶 硅分批拉制,采用“一埚一炉单棒技术”,即使用一个石英坩埚装 入硅料后只能拉出一根单晶硅棒,然后将破裂的坩埚抛弃。2022年4月30日  根据本发明的实施例,所述电子级多晶硅cvd炉内破碎方法包括: 5 (1)在cvd炉内的硅棒生长完成后,关闭原料进口和尾气出口,向炉内吹扫保护气体,以便对所述硅棒降温; 6 (2)当所述硅棒的温度降至600800℃时,加速向炉内吹扫保护气体,以便对所述 电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置与流程2023年2月21日  02硅烷法 硅烷法制备多晶硅主要技术是将冶金级硅粉与四氯化硅和氢气转化为三氯氢硅,再将三氯氢硅通过精馏工序提纯及歧化反应,生成电子级硅烷气送至多晶硅反应器,通过化学气相沉积 (CVD)生长 多晶硅制作工艺反应化学冶金

  • 电子级多晶硅的生产工艺 CAE

    2000年12月20日  就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氣氢硅法、四氣化硅法、二氣二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比;对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间 多晶硅生产工艺ppt课件 在1955年西门子公司成功开发了利用氢气还原三氯 硅烷(SiHCl3)在硅芯发热体上沉积硅的工艺技术, 并于1957年开始了工业规模的生产,这就是通常所说 的西门子法。 21 f改良西门子法介绍 在Leabharlann Baidu门子法工艺的基础 多晶硅生产工艺ppt课件百度文库2021年11月9日  西门子工艺多晶硅棒 和块是如何制造的 当时改良西门子工艺与今天的工艺技术路线相差不大,工艺流程由冷氢化、精馏和化学气相沉积(还原)等几个主要的工艺操作组成,如图1工艺路线,反应器如图2所示。后来因为主要的技术冷氢化、精馏和 为什么改良西门子工艺仍然是制造多晶硅的主流工艺技术?索

  • 多晶硅硅棒的破碎方法?盖德化工问答

    2018年5月23日  目前来讲,肯定是以人工破碎为主导 但是从多晶硅行业的飞速发展来看,人工破碎肯定是需要改进的 所以我们要讨论: 比如热力破碎时:将硅棒加热到大概多少度,然后用冷水浸泡? 比如国外有哪些好方法? 按照目前的技术,一般还是人力破碎,我们最近后 2011年6月3日  多晶硅可作拉制 单晶硅 的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 例如,在力学性质、光学性质和热学性质的 各向异性 方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的 导电性 也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。 。在化学活性方面,两者的差异极多晶硅百度百科2023年5月27日  多晶硅棒破碎是多晶硅 后处理工序中相对独立的环节,将其破碎成块状或较小的结构,其主要目的就是将硅原料棒加工成下游厂家生产所需要规格的块状硅体商品。工业应用领域的多晶硅产品通常为块状。商业产品中,一般会把多晶硅产品制作成 光伏多晶硅料为何需要破碎?如何破碎?技术资讯中国粉体网

  • 工业硅需求篇之二:多晶硅行业深度梳理 新浪财经

    2022年12月10日  需求方面,多晶硅消费领域集中在光伏市场,随着光伏产业景气度不断提高,多晶硅消费量实现了快速增长。 2022年19月,多晶硅表观消费量为5758 2022年6月21日  1一种水爆破碎多晶硅料的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤: 步骤一、将原生硅多晶硅棒料竖直向上摆放在装料框内,然后放置于高真空熔炼炉内,开启机械泵和插板阀门,在25min~30min内对高真空熔炼炉进行抽真空至真空度不超过02mbar;所 CNA 一种水爆破碎多晶硅料的方法 Google Patents2021年1月6日  一、太阳能硅电池片生产 太阳能级多晶硅材料产业,是光伏产业的上游 光伏发电靠光伏电池板,光伏电池板的主体是光伏电池片。光伏电池片可以用多晶硅材料(简称硅料,是本文主要讨论的物料),经直 种子已发芽——颗粒硅,硅料的未来,保利协鑫的明天

  • 电子级多晶硅棒热破碎方法 豆丁网

    电子级多晶硅棒热破碎方法pdf 上传 暂无简介 文档格式:pdf 文档大小: 56377K 文档页数: 12 页 顶 /踩数: 0 / 0 收藏人数: 0 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: 行业资料 2021年3月26日  由于目前先进器件制造用的硅晶圆几乎全部由CZ法单晶硅棒加工而成,故下面仅对CZ法进行说明。 首先,将多晶硅装入CZ炉内的石英坩埚中,由石墨加热器将其加热熔融得到硅熔液]。 多晶硅原料是由圆柱状粉碎为团块(lump)状以便于熔融。 硅的熔点大约为1420 从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程2023年10月31日  通过这种方法得到的多晶硅,其中C元素的含量不超过00005%,由此可见,硅石碳热还原法得到的多晶硅的纯度相当之高。 6、电解法 电解法采用电解硅酸盐的方式得到纯度较高的硅,在电解装置中,以C作为阳极,反应温度控制在1000℃,在经过一段时间的电解反应后,Si单质将会在阴极上附着,阳极 多晶硅的生产工艺详解; 知乎

  • 一种多晶硅棒破碎装置 CNU 专利顾如 PatentGuru

    2018年11月20日  本实用新型提供的一种多晶硅棒破碎装置,包括壳体、盛料篮和冷却介质;壳体顶端开口;盛料篮用于放置多晶硅棒,盛料篮的开口方向与壳体的开口方向一致,并放置于壳体内,盛料篮的非开口面上开设有若干通孔,盛放于壳体内的冷却介质通过通孔流入或流出盛料篮,冷却介质与放置于盛料篮中 2019年12月24日  为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种水爆破碎多晶硅料的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤: 步骤一、将原生硅多晶硅棒料竖直向上摆放在装料框内,然后放置于高真空熔炼炉内,开启机械泵和插板阀门,在25min~30min内对高真 一种水爆破碎多晶硅料的方法与流程 X技术网2022年12月3日  812 多晶硅工厂建(构)筑物之间的最小间距应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定,露天工艺装置与建(构)筑物之间的最小间距应符合现行国家标准《石油化工企业设计防火规范》GB 50160的有关规定。多晶硅工厂设计规范GB510342014 知乎

  • 宝利财富 打破垄断!国内颗粒硅头部企业助力光伏产业新蓝海

    2023年5月15日  宝利财富研究员调查获悉,多晶硅作为光伏行业龙头企业的“明星产品”,主要为颗粒状,品质达到国标标准,产品批量稳定应用于单晶电池领域,具有无须破碎、流动性好、填充性强等应用优势。 此外还具备以下壁垒特征: 一,成本优势多:光伏产业发展的 2022年2月14日  本发明公开了电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置,所述方法包括:(1)在CVD炉内的硅棒生长完成后,关闭原料进口和尾气出口,向炉内吹扫保护气体,以便对所述硅棒降温;(2)当所述硅棒的温度降至600‑800℃时,加速向炉内吹扫保护气体,以便对所述硅棒快速降温;(3)当所述硅棒的温度降至60℃以下 电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置专利查询 企查查2019年3月27日  本发明涉及多晶硅破碎领域,特别是涉及一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法。背景技术多晶硅是制备半导体器件和太阳能电池的原材料,按照纯度和用途可以分为太阳能级多晶硅和电子级多晶硅。目前制备多晶硅的主要方法为改良西门子法,由于制备出的多晶硅棒长且直径大,且随着改良西门子法 一种多晶硅棒破碎装置及其破碎方法与流程

  • 物“晶”天择 “硅”在创新——中国化学华陆公司自主开发

    2021年7月27日  7月26日,《中国化工报》二版刊登了《物“晶”天择 “硅”在创新——中国化学华陆公司自主开发多晶硅技术引领行业发展纪实》专题报道,对中国化学华陆公司以突破国外“卡脖子”技术为己任,彰显央企担当作为,长期以来致力于技术进步,潜心钻研攻关 2018年10月29日  多晶硅还原炉内部所发生的反应主要是:一定比例的氢气和高纯三氯氢硅气体在特定压力下通入多晶硅还原炉内,在直径为3~5mm、长度20~28m的导电硅棒上进行气相沉积反应生成多晶硅,还原电极温度(电极温度一般只有3545℃,炉体中间的电极 多晶硅还原炉倒置的原因石墨卡瓣的应用北京北方鑫源科技 2022年9月20日  2)将尾气中分离出的氢气送回还原炉、氯化氢送回TCS合成装置,进而实现闭路循环利用。 图表12改良西门子法工艺流程示意图 图表13多晶硅还原炉为改良西门子法的核心设备 改良西门子法较西门子法具备多重优势,目前已成为行业主流生产技术。多晶硅的技术发展改良流化床尾气

  • 一种水爆破碎多晶硅料的方法与流程 X技术网

    2019年12月24日  为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种水爆破碎多晶硅料的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤: 步骤一、将原生硅多晶硅棒料竖直向上摆放在装料框内,然后放置于高真空熔炼炉内,开启机械泵和插板阀门,在25min~30min内对高真 2022年7月5日  拆炉后,硅棒交接至整理分厂破碎包装。从还原炉出来的含有氢气、三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅和氯化氢的还原尾气,被送往尾气回收装置。在尾气回收装置内,氢气、氯化氢和氯硅烷(含有三氯 19、氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅及少量重组分)被分 多晶硅还原装置操作规程技术要求 1一种多晶硅自动破碎生产系统,其特征在于,所述多晶硅自动破碎生产系统包括: 用于运输多晶硅硅棒的运输装置; 用于将多晶硅硅棒破碎为多晶硅段料的预破碎装置; 用于运输多晶硅段料的第二运输装置; 用于将多晶硅段料破碎为多晶硅块 多晶硅自动破碎生产系统的生产技术 百度文库

  • 多晶硅车间工艺培训 百度文库

    多晶硅车间工艺培训 酸腐蚀处理过程中会有氟化氢和氮氧化物气体逸出至空气中,用风机通过罩于酸腐蚀处理槽上方的风罩抽吸含氟化氢和氮氧化物的空气,然后将该气体送往废气处理装置进行处理,达标排放。 经检测达到规定的质量指标的块状多晶硅产品送 2019年8月30日  其中就包括对原生多晶硅或单晶硅大块料或棒料进行破碎过程,这是单晶硅拉制提纯过程中的一个必要环节。 由于光伏电池组件对单晶硅的纯度要求非常高,通常达到9个9以上,为防止在破碎工程中操作过程对原料的污染,对硅棒或块料的破碎流程的工艺要求 硅料微波加热装置的制作方法2022年2月14日  摘要: 本发明提出了一种电子级多晶硅棒热破碎方法,包括(1)采用传送单元将待加热的多晶硅棒传送至加热仓内,通过所述加热仓内的加热元件对所述多晶硅棒进行加热,加热过程中所述加热仓内充满保护气体;(2)采用所述传送单元将加热完成的所述多晶硅棒运出所述加热仓,并将所述多晶硅棒 电子级多晶硅棒热破碎方法 百度学术

  • 金属硅粉是如何磨出来的? 知乎专栏

    2023年3月17日  金属硅粉加工是指将冶炼出来的硅块(2580毫米),经过特殊的工艺破碎,生产成为指定粒度(通常80400微米)范围的硅粉的过程。用于有机硅和多晶硅生产的金属硅粉,必须具备相应的技术指标,金属硅粉的关键技术指标:化学成份、粒度、形貌、比表面积、理化性能体现了金属硅粉的化学反应 2022年6月1日  56在本发明的第二个方面,本发明提出了一种采用以上实施例所述的电子级多晶硅热破碎加热装置对多晶硅棒 料进行加热的方法。根据本发明的实施例,所述方法包括: 57(1)打开仓门21,采用传送单元10将待加热的多晶硅棒料传送至加热仓20中 电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置与流程2021年8月27日  本发明涉及破碎装置技术领域,尤其涉及一种硅块破碎装置及使用方法、硅块破碎方法及应用方法。背景技术: 电子级多晶硅是集成电路产业的基础原材料,一般采用改良西门子法进行生产,在还原炉中利用化学气相沉积产出多晶硅棒,然后对其进行破碎、筛分及清洗,从而得到尺寸不一的多晶硅 一种硅块破碎装置及使用方法、硅块破碎方法及应用方法与流程

  • 多晶硅 知乎

    2021年9月9日  多晶硅还原炉的结构及利用此还原炉进行还原的工作方法。 采用交叉分布的吊装电极,改善了炉内物料分布的均匀性,容易控制还原炉内各个位置的温度,降低电耗并保证产品质量。 多晶硅还原的方法,其 2012年3月27日  1多晶硅的生产工艺:从西门子法到改良西门子法 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957年,这种多晶硅生产工艺开始应用多晶硅研究系列1:三大生产工艺的比较 1多晶硅的生产工艺 2023年8月22日  多晶硅 二、制备工艺与技术 多晶硅的制备工艺多种多样,涵盖气相法、溶液法和凝固法等不同方法。这些方法各具特点,在不同领域应用广泛。气相法: 气相法是制备多晶硅的一种重要方法。 它基于热化学反应,将硅源气体(如氯化硅)在高温下分解,使硅沉积在基底上。多晶硅:制备、性质与应用的全面解析 知乎

  • 成本领先,穿越周期,颗粒硅:十年磨一剑,硅料技术革命

    2022年5月9日  硅烷流化床法生产颗粒多晶硅的优点又在于: 1)硅烷热分解反应的副产物为氢气;2)硅烷的沉积温度比三氯氢硅低,可以把多晶硅的还原电耗从改良 西门子 法的 45kWh/kg 降低到约 4kWh/kg,从而大幅降低成本;3)沉积速率快、可实现单程百分百转化;4)可实现 2023年5月27日  热淬碎法 热淬碎法是将硅原料棒置于加热炉中,根据热胀冷缩的原理改变晶体之间的结合力,先在600~700℃的高温环境下对其进行加热,然后立即将其取出并放入水中,通过快速浸泡在冷水中造成硅棒的主体上形成裂纹,然后再手动轻轻敲击它,以达到折断 光伏多晶硅料为何需要破碎?如何破碎?中粉石英行业门户2020年12月21日  多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括,三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化(有的采用氯氢化),精馏,还原,尾气回收,还有一些小的主项,制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。 主要反应包括:Si+HClSiHCl3+H2(三氯氢硅合成);SiCl4+H2SiHCl3+HCl(热氢化);SiHCl3+H2SiCl4 多晶硅生产工艺流程 哔哩哔哩

  • 一种多晶硅自动破碎装置专利查询 企查查

    2019年12月31日  本实用新型装置可有效提升破碎效率,降低人工成本;可避免多晶硅破碎过程中的二次污染问题,保证了多晶硅的质量纯度;多晶硅棒料可以在短时间内破碎完成,且破碎过程中不会产生粉尘;另外配置不同形状的组合式破碎锤或者设置不同的参数,能达到特 2023年11月21日  22、CCZ+颗粒硅或引领下一代多晶硅技术变革 拉晶方式从分批直拉法(CZ)演变为目前的 RCZ。传统单晶 硅分批拉制,采用“一埚一炉单棒技术”,即使用一个石英坩埚装 入硅料后只能拉出一根单晶硅棒,然后将破裂的坩埚抛弃。2022年协鑫科技研究报告:颗粒硅有望成为下一代主流硅料技术

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